2N3055H参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N3055H概述

互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 60 V 15 A 2.5MHz 115 W 通孔 TO-204（TO-3）

得捷:
TRANS NPN 60V 15A TO204

艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

2N3055H中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 15.0 A

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 115 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2N3055H

描述：互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors

替代型号2N3055H

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