2N4400BU

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2N4400BU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 50 @150mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.93 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N4400BU
型号: 2N4400BU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose
替代型号2N4400BU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N4400BU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

2N4400TF

飞兆/仙童

完全替代

2N4400BU和2N4400TF的区别

2N4400

飞兆/仙童

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2N4400BU和2N4400的区别

2N3859A

飞兆/仙童

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