2N5769

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2N5769中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 15.0 V

额定电流 200 mA

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 40

最大电流放大倍数hFE 120

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5769
型号: 2N5769
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN开关晶体管 NPN Switching Transistor
替代型号2N5769
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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