高功率PNP外延平面型双极晶体管 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
Bipolar BJT Transistor PNP 100V 25A 20MHz 125W Through Hole TO-3P
得捷:
TRANS PNP 100V 25A TO-3P
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT High power PNP Bipolar transistor
艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 25A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 25A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
极性 PNP
耗散功率 125000 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 40 @12A, 4V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 18.7 mm
封装 TO-3-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free