2N5550_D26Z

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2N5550_D26Z中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5550_D26Z
型号: 2N5550_D26Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
替代型号2N5550_D26Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5550_D26Z

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

2N5550TAR

飞兆/仙童

完全替代

2N5550_D26Z和2N5550TAR的区别

2N5550TFR

飞兆/仙童

类似代替

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2N5550G

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功能相似

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