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2N3415_D26Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 4.5V

最大电流放大倍数hFE 540

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N3415_D26Z
型号: 2N3415_D26Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose

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