2SA1381ESTU

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2SA1381ESTU中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 PNP

耗散功率 7 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V

额定功率Max 7 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1381ESTU
型号: 2SA1381ESTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

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