2N5401RL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5401RL1G概述

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

- 双极 BJT - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

得捷:
TRANS PNP 150V 0.6A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

2N5401RL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -150 V

额定电流 -600 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2N5401RL1G

描述：放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

替代型号2N5401RL1G