2N5550RLRAG参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5550RLRAG概述

TO-92 NPN 140V 0.6A

Bipolar BJT Transistor NPN 140V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 140V 0.6A TO92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

2N5550RLRAG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 140 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N5550RLRAG

型号： 2N5550RLRAG

描述：TO-92 NPN 140V 0.6A

替代型号2N5550RLRAG