2N5830概述
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL TRANSISTORS- .
- *CONT.**
得捷:
TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 100V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
2N5830中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 200 mA
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 500
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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替代型号2N5830
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5830 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |