2N6517G参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N6517G概述

高电压晶体管 High Voltage Transistors

Features

• Voltage and Current are Negative for PNP Transistors

• Pb−Free Package is Available

得捷:
TRANS NPN 350V 0.5A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Box

TME:
Transistor NPN 350V 0.5A 0.625W >4 TO92

2N6517G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 500 mA

额定功率 625 mW

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： 2N6517G

描述：高电压晶体管 High Voltage Transistors

替代型号2N6517G