2N5401RLRMG参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5401RLRMG概述

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 150V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 150V 0.6A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo

2N5401RLRMG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -150 V

额定电流 -600 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2N5401RLRMG

描述：放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

替代型号2N5401RLRMG