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2SK1058图片1

2SK1058中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 7.00 A

漏源极电压Vds 160 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输入电容Ciss 600pF @10VVds

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2SK1058

型号： 2SK1058

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

替代型号2SK1058

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