2SJ162参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2SJ162中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -160 V

额定电流 -7.00 A

漏源极电压Vds 160 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输入电容Ciss 900pF @10VVds

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

2SJ162引脚图与封装图

2SJ162引脚图

2SJ162封装图

2SJ162封装焊盘图

在线购买2SJ162

型号： 2SJ162

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

替代型号2SJ162

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2SJ162

Renesas Electronics 瑞萨电子

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完全替代

2SJ162和2SJ162-E的区别

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2SJ162和2SJ161的区别