2SA1709T-AN参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1709T-AN概述

NMP PNP 100V 2A

Bipolar BJT Transistor PNP 100V 2A 120MHz 1W Through Hole 3-NMP

得捷:
TRANS PNP 100V 2A 3NMP

安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin NMP T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin NMP T/R

2SA1709T-AN中文资料参数规格

技术参数

频率 120 MHz

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 10V

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SC-71-3

外形尺寸

高度 4.5 mm

封装 SC-71-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2SA1709T-AN

描述：NMP PNP 100V 2A