ON SEMICONDUCTOR 2N6286G 达林顿双极晶体管
The Power 20A 100 V PNP Darlington Transistors is designed for general-purpose amplifier and low-frequency switching applications.
Features
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- High DC Current Gain @ IC = 10 Adc
hFE = 2400 Typ - 2N6284
hFE = 4000 Typ - 2N6287
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- Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEOsus = 100 Vdc Min
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- Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
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- Pb-Free Packages are Available
额定电压DC -80.0 V
额定电流 20.0 A
针脚数 2
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 160 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 20A
最小电流放大倍数hFE 750 @10A, 3V
最大电流放大倍数hFE 18000
额定功率Max 160 W
直流电流增益hFE 18
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 160000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
封装 TO-204-2
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6286G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6287G 安森美 | 类似代替 | 2N6286G和2N6287G的区别 |
2N6286 安森美 | 类似代替 | 2N6286G和2N6286的区别 |
NTE252 NTE Electronics | 功能相似 | 2N6286G和NTE252的区别 |