TO-3PB N-CH 900V 10A
通孔 N 通道 10A(Ta) 2.5W(Ta),190W(Tc) TO-3PB
得捷: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
艾睿: Trans MOSFET N-CH 900V 10A 3-Pin3+Tab TO-3PB Tray
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 190W Tc
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 1500pF @30VVds
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册