小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
通孔 N 通道 60 V 200mA（Ta） 350mW（Tc） TO-92（TO-226）
得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
额定电压DC 60.0 V
额定电流 200 mA
漏源极电阻 5.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350mW Tc
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7000RLRMG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7000G 安森美 | 类似代替 | 2N7000RLRMG和2N7000G的区别 |
2N7000RLRAG 安森美 | 类似代替 | 2N7000RLRMG和2N7000RLRAG的区别 |
2N7000BU 安森美 | 类似代替 | 2N7000RLRMG和2N7000BU的区别 |