NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
小信号 NPN ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
立创商城:
2SD1048-7-TB-E
欧时:
ON Semiconductor 2SD1048-7-TB-E , NPN 晶体管, 700 mA, Vce=15 V, HFE:80, 250 MHz, 3引脚 CP封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN 2SD1048-7-TB-E GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 15 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 125 °C.
Allied Electronics:
ON Semi 2SD1048-7-TB-E NPN Bipolar Transistor, 0.7 A, 15 V, 3-Pin CP
Verical:
Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS NPN 15V 0.7A SOT23-3
频率 250 MHz
极性 NPN
耗散功率 200 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 200 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 900
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SD1048-7-TB-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1048-6-TB-E 安森美 | 完全替代 | 2SD1048-7-TB-E和2SD1048-6-TB-E的区别 |