2N7000RLRPG参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N7000RLRPG概述

小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 200毫安60伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

Features

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.: AEC Qualified

.: PPAP Capable

.: Pb-Free Packages are Available

得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold

2N7000RLRPG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 200 mA

漏源极电阻 5.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350mW Tc

输入电容 60.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 200 mA

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N7000RLRPG

型号： 2N7000RLRPG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 200毫安60伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

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替代型号2N7000RLRPG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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