2N3906RL1参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N3906RL1概述

通用晶体管 General Purpose Transistors

Bipolar BJT Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226

得捷:
TRANS SS PNP GP 40V 200MA TO-92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk

Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R

2N3906RL1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N3906RL1

型号： 2N3906RL1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：通用晶体管 General Purpose Transistors

替代型号2N3906RL1