2ST5949参数规格_中文资料_数据手册PDF

2ST5949概述

高功率NPN外延平面型双极晶体管 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

- 双极 BJT - 单 NPN 250 V 17 A 25MHz 250 W 底座安装 TO-3

得捷:
TRANS NPN 250V 17A TO3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 17A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Bag

2ST5949中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 17A

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 5V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 250 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2ST5949引脚图与封装图

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型号： 2ST5949

描述：高功率NPN外延平面型双极晶体管 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor