双极晶体管 Bipolar Transistor
- 双极 BJT - 单 PNP 130MHz 通孔 TP
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TRANS PNP 100V 4A TP
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PNP 100V 4A
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Trans GP BJT PNP 100V 4A 1000mW 3-Pin3+Tab TP Bag
频率 180 MHz
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 140 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 280
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Suitable for relay drivers, General high-current switching applications, High-speed inverters and converters
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SB1216S-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1216S-TL-H 安森美 | 完全替代 | 2SB1216S-E和2SB1216S-TL-H的区别 |
2SB1216S-H 安森美 | 类似代替 | 2SB1216S-E和2SB1216S-H的区别 |
2SB1216S-TL-E 安森美 | 功能相似 | 2SB1216S-E和2SB1216S-TL-E的区别 |