TOSHIBA 2SJ668TE16L1,NQ 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 2 V
The is a -60V Silicon P-channel MOSFET with 4V gate drive and low drain-source ON resistance. Suitable for use in relay drive, DC/DC converter and motor drive applications.
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- High forward transfer admittance
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- Low leakage current
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- Enhancement mode
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 20 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 700pF @10VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PW-Mold-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 PW-Mold-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SJ668TE16L1,NQ Toshiba 东芝 | 当前型号 | 当前型号 |
TJ8S06M3L 东芝 | 功能相似 | 2SJ668TE16L1,NQ和TJ8S06M3L的区别 |