NXP 2N7002BK 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V
The is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in surface-mounted plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for high-speed line driver, low-side loadswitch and switching circuits.
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- Logic-level compatible
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- Very fast switching
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- AEC-Q101 Qualified
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- Up to 1kV ESD protection
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
针脚数 3
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 440 mW
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.35A
输入电容Ciss 33pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.44 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002BK NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
2V7002KT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002BK和2V7002KT1G的区别 |
2N7002K-T1-E3 威世 | 功能相似 | 2N7002BK和2N7002K-T1-E3的区别 |
2N7002BK,215 安世 | 功能相似 | 2N7002BK和2N7002BK,215的区别 |