2N7002BKM概述
NXP 2N7002BKM 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V
The is a N-channel enhancement-mode MOSFET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuits.
- .
- Logic-level compatible
- .
- Very fast switching
- .
- ESD protection up to 2kV
- .
- AEC-Q101 qualified
2N7002BKM中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 60 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-883
外形尺寸
封装 SOT-883
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
在线购买2N7002BKM