2N7002BKT概述
NXP 2N7002BKT 晶体管, MOSFET, N沟道, 290 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V
The is a N-channel enhancement-mode MOSFET designed in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuits.
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- Logic-level compatible
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- Very fast switching
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- ESD protection up to 2kV
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- AEC-Q101 qualified
2N7002BKT中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 260 mW
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 33pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.32 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
外形尺寸
长度 1.8 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-416
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
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