2N7002BKW

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2N7002BKW概述

NXP  2N7002BKW  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V

The is a N-channel enhancement-mode MOSFET designed in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuits.

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Logic-level compatible
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Very fast switching
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ESD protection up to 2kV
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AEC-Q101 qualified
2N7002BKW中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 275 mW

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.31A

输入电容Ciss 33pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.33 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买2N7002BKW
型号: 2N7002BKW
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  2N7002BKW  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V
替代型号2N7002BKW
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2N7002BKW和2N7002KW的区别

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