2SB12200RL参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SB12200RL概述

SMini3-G1 PNP 150V 0.05A

Bipolar BJT Transistor PNP 150V 50mA 200MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1

得捷:
TRANS PNP 150V 0.05A SMINI3

Win Source:
TRANS PNP 150V 0.05A SMINI3 / Bipolar BJT Transistor PNP 150 V 50 mA 200MHz 150 mW Surface Mount SMini3-G1

2SB12200RL中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -150 V

额定电流 -50.0 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 130 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2SB12200RL

描述：SMini3-G1 PNP 150V 0.05A