2SA1162-GR,LF参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1162-GR,LF概述

2SA1162-GR,LF 编带

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 150mW Surface Mount S-Mini

立创商城:
PNP 50V 150mA

得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V

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Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R

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Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R

Win Source:
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

2SA1162-GR,LF中文资料参数规格

技术参数

频率 80 MHz

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2SA1162-GR,LF引脚图与封装图

在线购买2SA1162-GR,LF

型号： 2SA1162-GR,LF

制造商： Toshiba 东芝

描述：2SA1162-GR,LF 编带

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替代型号2SA1162-GR,LF

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