中功率晶体管 Medium Power Transistor
- 双极 BJT - 单 PNP 32 V 500 mA 200MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3
得捷:
TRANS PNP 32V 0.5A UMT3
欧时:
PNP Driver Transistor
立创商城:
PNP 32V 500mA
艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 3-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 3-Pin UMT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
儒卓力:
**PNP TRANSISTOR 32V 0,5A UMT3 **
Win Source:
TRANS PNP 32V 0.5A SOT-323
频率 200 MHz
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 UMT-3
封装 UMT-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SA1577T106Q ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA1577T106R 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SA1577T106Q和2SA1577T106R的区别 |