2SA1955FVATPL3Z

2SA1955FVATPL3Z图片1
2SA1955FVATPL3Z概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO

- 双极 BJT - 单 PNP 12 V 400 mA 130MHz 100 mW 表面贴装型 CST3


得捷:
TRANS PNP 12V 0.4A CST3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO


Win Source:
TRANS PNP 12V 0.4A VESM


2SA1955FVATPL3Z中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 1000

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-723-3

外形尺寸

封装 SOT-723-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1955FVATPL3Z
型号: 2SA1955FVATPL3Z
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司