PNP 120V 0.1A
- 双极 BJT - 单 PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 S-Mini
得捷:
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 3-Pin SC-59
Verical:
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 150 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 350 @2mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 700
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SA1163-BL,LF Toshiba 东芝 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA1312-BLTE85L,F 东芝 | 类似代替 | 2SA1163-BL,LF和2SA1312-BLTE85L,F的区别 |