2SD2696T2L概述
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 400 MHz, 150 mW, 400 mA, 270 hFE
Bipolar BJT Transistor NPN 30V 400mA 400MHz 150mW Surface Mount VMT3
得捷:
TRANS NPN 30V 0.4A VMT3
立创商城:
低频晶体管放大用
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Low VCEsat Transistor
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 400 MHz, 150 mW, 400 mA, 270 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin VMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin VMT T/R
2SD2696T2L中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.4A
最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 270
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
外形尺寸
封装 SOT-723-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
2SD2696T2L引脚图与封装图 
在线购买2SD2696T2L
型号： 2SD2696T2L
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：单晶体管 双极, NPN, 30 V, 400 MHz, 150 mW, 400 mA, 270 hFE