SMT PNP 12V 0.5A
Bipolar BJT Transistor PNP 12V 500mA 260MHz 200mW Surface Mount SMT3
得捷:
TRANS PNP 12V 0.5A SMT3
欧时:
PNP Low VCEsat Transistor
艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 3-Pin SMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 3-Pin SMT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
DeviceMart:
TRANS PNP 12V 0.5A SOT346 SMT3
Win Source:
TRANS PNP 12V 0.5A 3PIN ATV
频率 260 MHz
额定功率 0.2 W
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SA2119KT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA2018TL 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SA2119KT146和2SA2018TL的区别 |
2SA2030T2L 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SA2119KT146和2SA2030T2L的区别 |