2SA1955FVBTPL3Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1955FVBTPL3Z概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO

Bipolar BJT Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount VESM

得捷:
TRANS PNP 12V 0.4A VESM

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO

2SA1955FVBTPL3Z中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 1000

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-723-3

外形尺寸

封装 SOT-723-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2SA1955FVBTPL3Z

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO