ROHM 2SC5662T2LP 单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 11 V 50 mA 3.2GHz 150 mW 表面贴装型 VMT3
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TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
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NPN 11V 50mA
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单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE
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2SC5662 Series 11 V 50 mA SMT NPN High-Frequency Amplifier Transistor - VMT-3
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# ROHM 2SC5662T2LP Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56
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**NPN TRANSISTOR 11V 0,05A VMT3 **
Win Source:
TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
额定电压DC 11.0 V
额定电流 50.0 mA
额定功率 0.15 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 11 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 56
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
封装 VMT-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99