2SC5662T2LP

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2SC5662T2LP概述

ROHM  2SC5662T2LP  单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 11 V 50 mA 3.2GHz 150 mW 表面贴装型 VMT3


得捷:
TRANS NPN 11V 0.05A VMT3


立创商城:
NPN 11V 50mA


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R


富昌:
2SC5662 Series 11 V 50 mA SMT NPN High-Frequency Amplifier Transistor - VMT-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R


Newark:
# ROHM  2SC5662T2LP  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 11V 0,05A VMT3 **


Win Source:
TRANS NPN 11V 0.05A VMT3


2SC5662T2LP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 11.0 V

额定电流 50.0 mA

额定功率 0.15 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 11 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 56

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 VMT-3

外形尺寸

封装 VMT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2SC5662T2LP引脚图与封装图
2SC5662T2LP引脚图
2SC5662T2LP封装图
2SC5662T2LP封装焊盘图
在线购买2SC5662T2LP
型号: 2SC5662T2LP
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  2SC5662T2LP  单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE

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