ROHM 2SC5585TL 单晶体管 双极, 高速, NPN, 12 V, 320 MHz, 150 mW, 500 mA, 270 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 12 V 500 mA 320MHz 150 mW 表面贴装型 EMT3
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TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
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Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
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频率 320 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 500 mA
额定功率 0.15 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 320 MHz
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 270
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SOT-416-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SC5585TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS2515E,115 恩智浦 | 功能相似 | 2SC5585TL和PBSS2515E,115的区别 |
2SC5585 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SC5585TL和2SC5585的区别 |
SC55 Secos | 功能相似 | 2SC5585TL和SC55的区别 |