2SD2351T106V

2SD2351T106V图片1
2SD2351T106V图片2
2SD2351T106V图片3
2SD2351T106V图片4
2SD2351T106V图片5
2SD2351T106V图片6
2SD2351T106V图片7
2SD2351T106V概述

ROHM  2SD2351T106V  单晶体管 双极, 高速, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 150 mA, 820 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 150mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3


得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A UMT3


欧时:
NPN High hFE & Muting Transistor


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA


e络盟:
单晶体管 双极, 高速, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 150 mA, 820 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, High Speed, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 150 mA, 820 hFE


Win Source:
TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323


2SD2351T106V中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 150 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 820 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 820 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 820

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

2SD2351T106V引脚图与封装图
2SD2351T106V引脚图
2SD2351T106V封装图
2SD2351T106V封装焊盘图
在线购买2SD2351T106V
型号: 2SD2351T106V
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  2SD2351T106V  单晶体管 双极, 高速, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 150 mA, 820 hFE
替代型号2SD2351T106V
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD2351T106V

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2SD2351T106W

罗姆半导体

类似代替

2SD2351T106V和2SD2351T106W的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台