2SD1767T100R概述
MPT NPN 80V 0.7A
Bipolar BJT Transistor NPN 80V 700mA 120MHz 2W Surface Mount MPT3
得捷:
TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 4-Pin3+Tab MPT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 4-Pin3+Tab MPT T/R
DeviceMart:
TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Win Source:
TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
2SD1767T100R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 700 mA
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-243
外形尺寸
宽度 2.5 mm
封装 TO-243
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
2SD1767T100R引脚图与封装图 
在线购买2SD1767T100R