CPT NPN 32V 2A
Features
1 Low VCEsat. VCEsat= 0.5V Typ.IC/IB= 2A / 0.2A
2 Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
得捷:
TRANS NPN 32V 2A CPT3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 32V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 32V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 32V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 32V 2A 10000mW 3-Pin2+Tab CPT T/R
DeviceMart:
TRANS NPN 32V 2A SOT-428
Win Source:
TRANS NPN 32V 2A SOT-428
频率 100 MHz
额定电压DC 32.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 10 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 10 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
宽度 5.5 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1758TLR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1758TLQ 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1758TLR和2SD1758TLQ的区别 |
2SD1758TLP 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1758TLR和2SD1758TLP的区别 |
2SCR572D3TL1 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SD1758TLR和2SCR572D3TL1的区别 |