单晶体管 双极, PNP, -12 V, 280 MHz, 500 mW, -3 A, 270 hFE
Bipolar BJT Transistor PNP 12V 3A 280MHz 500mW Surface Mount TSMT3
得捷:
TRANS PNP 12V 3A TSMT3
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -12 V, 280 MHz, 500 mW, -3 A, 270 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 3-Pin TSMT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 3-Pin TSMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 3-Pin TSMT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 3-Pin TSMT T/R
频率 280 MHz
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -3.00 A
额定功率 0.5 W
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 270 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 270
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.60 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SB1705TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
US6T4TR 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SB1705TL和US6T4TR的区别 |