2SD1918TLQ概述
2SD1918TLQ NPN三极管 160V 1.5A 80MHz 120~390 2V TO-252/CPT3 marking/标记 D1918 功率晶体管
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 160V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 2V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power Transistor Features- .
- High breakdown voltage.BVCEO = 160V * Low collector output capacitance. Typ. 20pF at VCB = 10V * High transition frequency.fT = 80MHZ * Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. 描述与应用| 功率 特点 *高击穿电压（BVCEO=160V）。 *低集电极输出电容。 （典型值20pF的VCB=10V） *高转换频率（FT =80MHZ）。 *补充2SB1275/2SB1236A的。
2SD1918TLQ中文资料参数规格
技术参数
频率 80 MHz
额定电压DC 160 V
额定电流 1.50 A
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 80 MHz
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 120 @0.1A, 5V
额定功率Max 10 W
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 5.8 mm
高度 2.5 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
2SD1918TLQ引脚图与封装图 
在线购买2SD1918TLQ
型号： 2SD1918TLQ
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：2SD1918TLQ NPN三极管 160V 1.5A 80MHz 120~390 2V TO-252/CPT3 marking/标记 D1918 功率晶体管