ROHM 2SD1980TL 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 80 MHz, 1 W, 1 A, 1000 hFE
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 100v \---|--- 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 1000~10000 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5v 耗散功率Pc Power Dissipation | 描述与应用 Description & Applications | 功率。 特性 1达林顿连接直流电流增益高。 2内置基地和发射极之间的电阻。 3内置阻尼二极管。 4补充2 sb1580 / 2 sb1316 / 2 sb1567。 技术文档PDF下载 | 在线阅读
额定电压DC 100 V
额定电流 2.00 A
额定功率 10 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 10 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 80 MHz
耗散功率Max 10 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1980TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD112T4 意法半导体 | 功能相似 | 2SD1980TL和MJD112T4的区别 |
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