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2SA1186概述

Power Bipolar Transistor, 10A IC, 150V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3Pin, MT-100, TO-3P, 3Pin

Application : Audio and General Purpose

得捷:
TRANS PNP 150V 10A TO3P

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 10A 3-Pin3+Tab TO-3P Bulk

DeviceMart:
TRANS PNP AUDIO/GP MT-100 TO-3P

2SA1186中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 150 V

最小电流放大倍数hFE 50 @3A, 4V

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SA1186引脚图与封装图

在线购买2SA1186

型号： 2SA1186

制造商： Sanken Electric 三垦电气

描述：Power Bipolar Transistor, 10A IC, 150V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3Pin, MT-100, TO-3P, 3Pin

替代型号2SA1186