VMT NPN 50V 0.15A
Bipolar BJT Transistor NPN 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount VMT3
得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VMT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VMT T/R
儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 50V HFE270-560 **
Win Source:
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
额定电压DC 50.0 V
额定电流 150 mA
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 180 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 VMT-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SC5658T2LS ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SC5658T2LQ 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SC5658T2LS和2SC5658T2LQ的区别 |
2SC5658T2LR 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SC5658T2LS和2SC5658T2LR的区别 |