NPN 120V 0.1A
Bipolar BJT Transistor NPN 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount TO-236
得捷:
TRANS NPN 120V 0.1A TO236
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin TO-236
Verical:
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
Win Source:
TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 700 @2mA, 6V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SC2713-GR,LF Toshiba 东芝 | 当前型号 | 当前型号 |
2SC3324GRTE85LF 东芝 | 完全替代 | 2SC2713-GR,LF和2SC3324GRTE85LF的区别 |