MPT PNP 30V 2A
Bipolar BJT Transistor PNP 30V 2A 430MHz 2W Surface Mount MPT3
得捷:
TRANS PNP 30V 2A MPT3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 30V 2A
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R
儒卓力:
**PNP SWITCH-TRANS.30V 2A MPT3 **
额定功率 2 W
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 430 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 500
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
封装 MPT-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SAR512PT100 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SAR542PT100 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SAR512PT100和2SAR542PT100的区别 |