ROHM 2SC5876T106R 单晶体管 双极, 高速, NPN, 60 V, 300 MHz, 200 mW, 500 mA, 180 hFE
NPN 小信号,Rohm
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TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
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ROHM 2SC5876T106R , NPN 双极晶体管, 500 mA, Vce=60 V, HFE:120, 10 MHz, 3引脚 UMT封装
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NPN 60V 2A
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# ROHM 2SC5876T106R Bipolar BJT Single Transistor, High Speed, NPN, 60 V, 300 MHz, 200 mW, 500 mA, 180 hFE
频率 300 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 180
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SC5876T106R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SC5876T106Q 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SC5876T106R和2SC5876T106Q的区别 |
2SC5868TLR 罗姆半导体 | 功能相似 | 2SC5876T106R和2SC5868TLR的区别 |