2SA1162-O,LF参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1162-O,LF概述

PNP 50V 0.15A

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 150mW Surface Mount S-Mini

得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor

Win Source:
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

2SA1162-O,LF中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 80 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买2SA1162-O,LF

型号： 2SA1162-O,LF

描述：PNP 50V 0.15A

替代型号2SA1162-O,LF

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SA1162-O,LF Toshiba 东芝	当前型号	当前型号
2SA1162-GR,LF 东芝	完全替代	2SA1162-O,LF和2SA1162-GR,LF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2SA1162-O,LF

Toshiba 东芝

当前型号

2SA1162-GR,LF

东芝

完全替代